DTL9826 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DTL9826
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内容描述：	N沟道100 -V （D -S ）的MOSFET [N-Channel 100-V (D-S) MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 237 K
品牌：	DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]

www.daysemi.jp

N沟道100 -V （D -S ）的MOSFET

产品概述

（ BR ） DSS

(V)

200

DS （ ON）

(Ω)

0.030在V

= 10 V

(A)

特点

•

TrenchFET

功率MOSFET

175 ° C的结温

低热阻封装

100 % R

经过测试

RoHS指令

柔顺

应用

•隔离式DC / DC转换器

TO-220AB

摹ð S

顶视图

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（T

= 175 °C)

漏电流脉冲

雪崩电流

单脉冲雪崩能量

最大功率耗散

工作结存储温度范围

L = 0.1 mH的

= 25 °C

= 125 °C

符号

, T

英镑

极限

100

± 20

140

375

3.75

- 55〜 175

°C

单位

热电阻额定值

参数

结到环境

结至外壳（漏）

注意事项：

一。包装有限。

B 。占空比

≤

1 %.

Ç 。看到SOA曲线电压降额。

ð 。当安装在1"正方形板（ FR-4材料）。

印刷电路板安装（ TO- 263 ）

符号

thJA

thJC

极限

0.4

单位

° C / W

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