DTM4410_13 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DTM4410_13
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内容描述：	N通道30 -V （ DS ） MOSFET的100 ％通过Rg和UIS测试 [N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 100 % Rg and UIS Tested]
分类和应用：	测试
文件页数/大小：	9 页 / 1374 K
品牌：	DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]

N通道30 -V （D -S ）的MOSFET

www.din-tek.jp

DTM4410

产品概述

(V)

DS （ ON）

(Ω)

0.0045在V

= 10 V

0.0065在V

= 4.5 V

(A)

8 NC

14.5

（典型值）。

特点

•

无卤符合IEC 61249-2-21

• TrenchFET

功率MOSFET

• 100 % R

和UIS测试

应用

•笔记本CPU核心

- 高边开关

SO-8

顶部

意见

N沟道

MOSFET

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（T

= 150 °C)

= 25 °C

= 70 °C

= 25 °C

= 70 °C

= 25 °C

L = 0.1 mH的

符号

, T

英镑

极限

± 20

13.5

B，C

9.6

B，C

4.5

2.2

B，C

3.2

2.5

B，C

1.6

B，C

- 55〜 150

单位

漏电流脉冲

连续源极 - 漏极二极管电流

单脉冲雪崩电流

雪崩能量

= 25 °C

= 70 °C

最大功率耗散

= 25 °C

= 70 °C

工作结存储温度范围

°C

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

B，D

最大结到脚（漏极）

≤

10 s

稳定状态

符号

thJA

thJF

典型

最大

单位

° C / W

注意事项：

一。基于T

= 25 °C.

B 。表面安装1" X 1" FR4板。

Ç 。 T = 10秒。

ð 。在稳态条件下最大为85 ° C / W 。

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