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DTM4420 参数 Datasheet PDF下载

DTM4420图片预览
型号: DTM4420
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内容描述: N通道30 -V ( DS ) MOSFET优化的高边同步 [N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Optimized for High-Side Synchronous]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 1538 K
品牌: DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
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N通道30 -V (D -S )的MOSFET
www.din-tek.jp
DTM4420
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS ( ON)
(Ω)
0.0089在V
GS
= 10 V
0.012在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
13
12
Q
g
(典型值)。
6.8 NC
特点
无卤
TrenchFET
®
功率MOSFET
•优化的高边同步
整流操作
• 100 % R
g
经过测试
• 100 % UIS测试
应用
•笔记本CPU核心
- 高边开关
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
D
D
D
G
D
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(T
J
= 150 °C)
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
± 20
13
12
11
B,C
9
B,C
50
3.8
2.1
B,C
22
24
4.5
2.8
2.5
B,C
1.6
B,C
- 55〜 150
单位
V
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
单脉冲雪崩电流
雪崩能量
A
mJ
最大功率耗散
W
工作结存储温度范围
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
B,D
最大结到脚(漏极)
注意事项:
一。基地对T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
Ç 。 T = 10秒。
ð 。在稳态条件下最大为85 ° C / W 。
t
10 s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
38
22
最大
50
28
单位
° C / W
1