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DTM4425 参数 Datasheet PDF下载

DTM4425图片预览
型号: DTM4425
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内容描述: P通道30 -V (D -S )的MOSFET [P-Channel 30-V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 360 K
品牌: DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
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DT
www.daysemi.jp
P通道30 -V (D -S )的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 30
R
DS ( ON)
(Ω)
0.0098在V
GS
= 10 V
0.0165在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
- 19.7
27 NC
- 15.2
Q
g
(典型值)。
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
• TrenchFET
®
功率MOSFET
• 100 % R
g
经过测试
应用
•负荷开关
- 笔记本电脑
- 台式电脑
8
7
6
5
顶视图
D
P沟道MOSFET
D
D
G
D
D
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
S
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流(T
J
= 150 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
- 30
± 20
- 19.7
- 15.7
- 13
B,C
- 10.4
B,C
- 50
- 4.7
- 2.1
B,C
5.7
3.6
2.5
B,C
1.6
B,C
- 55〜 150
°C
W
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
B,D
符号
t
10 s
稳定状态
R
thJA
R
thJF
典型
35
18
最大
50
22
单位
° C / W
最大结到脚(漏极)
注意事项:
一。基于T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
Ç 。 T = 10秒。
ð 。在稳态条件下最大为85 ° C / W 。
文档编号: 64732
S09-0314 -REV 。 A, 02 -MAR -09
www.
1