DTM4606 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DTM4606
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	N和P沟道30 V（D -S）的MOSFET [N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	14 页 / 354 K
品牌：	DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]

www.daysemi.jp

N和P沟道

V（ D- S）的MOSFET

产品概述

(V)

N沟道

P沟道

- 30

DS （ ON）

(Ω)

0.0355在V

= 10 V

0.0425在V

= 4.5 V

0.045在V

= - 10 V

0.062在V

= - 4.5 V

(A)

（典型值）。

6.8

6.2

- 5.8

- 5.0

5.3

11.8

特点

•

无卤

TrenchFET

功率MOSFET

100 % R

经过测试

100 ％ UIS测试

RoHS指令

柔顺

应用

•背光逆变器的液晶显示器

•全桥变换器

SO-8

顶视图

P沟道MOSFET

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

= 25 °C

连续漏电流（T

= 150 °C)

= 70 °C

= 25 °C

= 70 °C

漏电流脉冲

源极 - 漏极电流二极管电流

脉冲源 - 漏电流

单脉冲雪崩电流

单脉冲雪崩能量

L = 0 1毫亨

= 25 °C

最大功率耗散

= 70 °C

= 25 °C

= 70 °C

工作结存储温度范围

, T

英镑

= 25 °C

符号

6.8

5.4

5.6

B，C

4.4

B，C

2.5

1.6

B，C

2.45

3.0

1.9

2.0

B，C

1.25

B，C

- 55〜 150

N沟道

± 20

- 5.8

- 4.7

B，C

- 3.7

B，C

- 20

- 2.5

- 1.6

B，C

- 20

- 10

3.1

2.0

B，C

1.25

B，C

°C

P沟道

- 30

单位

热电阻额定值

N沟道

参数

最大结点到环境

B，D

P沟道

典型值。

马克斯。

62.5

单位

° C / W

符号

≤

10 s

稳定状态

thJA

thJF

典型值。

马克斯。

最大结到脚（漏极）

注意事项：

一。基于T

= 25 °C.

B 。表面安装1" X 1" FR4板。

Ç 。 T = 10秒。

ð 。在稳态条件下最大为120 ° C / W 。

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案