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    DTM4830_13 参数 Datasheet PDF下载

    DTM4830_13图片预览
    型号： DTM4830_13
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道80 V（D -S ） MOSFET无卤 [N-Channel 80 V (D-S) MOSFET Halogen-free]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 2165 K
    品牌： DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
     浏览型号DTM4830_13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTM4830_13的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DTM4830_13的Datasheet PDF文件第4页浏览型号DTM4830_13的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DTM4830_13的Datasheet PDF文件第6页浏览型号DTM4830_13的Datasheet PDF文件第7页浏览型号DTM4830_13的Datasheet PDF文件第8页  
    www.din-tek.jp
    DTM4830
    N沟道80 V（ D- S）的MOSFET
    产品概述
    V
    DS
    (V)
    80
    R
    DS （ ON）
    ()
    0.075在V
    GS
    = 10 V
    I
    D
    (A)
    a
    3.5
    Q
    g
    （典型值）。
    7.3 NC
    特点
    •
    无卤符合IEC 61249-2-21
    德网络nition
    • TrenchFET
    ®
    功率MOSFET
    • 100 % R
    g
    和UIS测试
    •符合RoHS指令2002/95 / EC
    应用
    • DC / DC转换器
    - 笔记本系统电源
    SO-8
    S1
    1
    G1
    2
    S2
    G2
    3
    4
    顶部
    意见
    8
    7
    6
    5
    D1
    D1
    D1
    D2
    D2
    G1
    S1
    G2
    D2
    S2
    绝对最大额定值牛逼
    A
    = 25° ，除非另有说明
    C
    符号
    参数
    V
    DS
    漏源电压
    栅源电压
    连续漏极
    当前
    漏电流脉冲
    C
    雪崩电流
    C
    C
    最大
    80
    ±30
    3.5
    2.9
    18
    16
    12.8
    2
    1.3
    -55到150
    单位
    V
    V
    A
    V
    GS
    T
    A
    =25°
    C
    T
    A
    =70°
    C
    I
    D
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    P
    D
    T
    J
    , T
    英镑
    A
    mJ
    W
    °
    C
    重复雪崩能量L = 0.1mH
    T
    A
    =25°
    C
    功耗
    B
    T
    A
    =70°
    C
    结温和存储温度范围
    热特性
    参数
    最大结点到环境
    A
    最大结点到环境
    A D
    最大结对铅
    符号
    t
    ≤
    10s
    稳态
    稳态
    R
    θJA
    R
    θJL
    典型值
    48
    74
    32
    最大
    62.5
    90
    40
    单位
    °
    C / W
    °
    C / W
    °
    C / W

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