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DTM4909 参数 Datasheet PDF下载

DTM4909图片预览
型号: DTM4909
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内容描述: 双P通道40 V(D -S)的MOSFET无卤 [Dual P-Channel 40 V (D-S) MOSFET Halogen-free]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 1567 K
品牌: DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
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双P通道40 V(D -S)的MOSFET
特点
I
D
(A)
d
-8
- 7.2
Q
g
(典型值)。
21.7 NC
www.din-tek.jp
DTM4909
产品概述
V
DS
(V)
- 40
R
DS ( ON)
()
0.027在V
GS
= - 10 V
0.034在V
GS
= - 4.5 V
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
• TrenchFET
®
功率MOSFET
• 100 % R
g
经过测试
• 100 % UIS测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
S
2
S
1
应用
•负荷开关
- 笔记本电脑
- 台式电脑
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
D
1
D
2
P沟道MOSFET P通道MOSFET
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流(T
J
= 150 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
雪崩电流
单脉冲雪崩能量
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
- 40
± 20
- 8.0
- 6.5
- 6.4
A,B
- 5.1
A,B
- 30
e
- 2.6
- 1.6
A,B
- 20
20
3.2
2.1
2.0
A,B
1.28
A,B
- 55〜 150
°C
W
mJ
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结到脚
注意事项:
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。 T = 10秒。
Ç 。在稳态条件下最大为110 ° C / W 。
ð 。基于T
C
= 25 °C.
Ë 。通过封装的限制。
A,C
符号
t
10
s
稳定状态
R
thJA
R
thJF
典型
47
29
最大
62.5
38
单位
° C / W
1