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    DTM4925 参数 Datasheet PDF下载

    DTM4925图片预览
    型号： DTM4925
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双P通道30 - V（D -S）的MOSFET无卤 [Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Halogen-free]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 1689 K
    品牌： DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
     浏览型号DTM4925的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTM4925的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DTM4925的Datasheet PDF文件第4页浏览型号DTM4925的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DTM4925的Datasheet PDF文件第6页浏览型号DTM4925的Datasheet PDF文件第7页浏览型号DTM4925的Datasheet PDF文件第8页浏览型号DTM4925的Datasheet PDF文件第9页  
    双P通道30 - V（D -S）的MOSFET
    特点
    I
    D
    (A)
    D，E
    -8
    -8
    Q
    g
    （典型值）。
    15 NC
    www.din-tek.jp
    DTM4925
    产品概述
    V
    DS
    (V)
    - 30
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    0.029在V
    GS
    = - 10 V
    0.041在V
    GS
    = - 4.5 V
    •
    无卤
    • TrenchFET
    ®
    功率MOSFET
    •
    100 ％ UIS测试
    RoHS指令
    柔顺
    应用
    •负荷开关
    - 笔记本电脑
    - 台式电脑
    - 游戏站
    S
    1
    S
    2
    SO-8
    S
    1
    G
    1
    S
    2
    G
    2
    1
    2
    3
    4
    顶视图
    8
    7
    6
    5
    D
    1
    D
    1
    D
    2
    D
    2
    G
    1
    G
    2
    D
    1
    P沟道MOSFET
    D
    2
    P沟道MOSFET
    绝对最大额定值
    T
    A
    = 25 ℃，除非另有说明
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    T
    C
    = 25 °C
    T
    C
    = 70 °C
    T
    A
    = 25 °C
    T
    A
    = 70 °C
    T
    C
    = 25 °C
    T
    A
    = 25 °C
    L = 0.1 mH的
    T
    C
    = 25 °C
    T
    C
    = 70 °C
    T
    A
    = 25 °C
    T
    A
    = 70 °C
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    极限
    - 30
    ± 20
    - 8.0
    e
    - 8.0
    e
    - 7.3
    A，B
    - 5.9
    A，B
    - 32
    e
    - 4.1
    - 2.0
    A，B
    - 20
    20
    5.0
    3.2
    2.5
    A，B
    1.6
    A，B
    - 55〜 150
    单位
    V
    连续漏电流（T
    J
    = 150 °C)
    I
    D
    漏电流脉冲
    连续源极 - 漏极二极管电流
    雪崩电流
    单脉冲雪崩能量
    I
    DM
    I
    S
    I
    AS
    E
    AS
    A
    mJ
    最大功率耗散
    P
    D
    W
    工作结存储温度范围
    T
    J
    , T
    英镑
    °C
    热电阻额定值
    参数
    最大结点到环境
    A，C
    最大结到脚
    注意事项：
    一。表面安装在1" X 1" FR4板。
    B 。 T = 10秒。
    Ç 。在稳态条件下最大为85 ° C / W 。
    ð 。基于T
    C
    = 25 °C.
    Ë 。通过封装的限制。
    t
    ≤
    10 s
    稳定状态
    符号
    R
    thJA
    R
    thJF
    典型
    38
    20
    最大
    50
    25
    单位
    ° C / W
    1

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