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DTM4936 参数 Datasheet PDF下载

DTM4936图片预览
型号: DTM4936
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内容描述: 双N通道30 -V (D -S )的MOSFET [Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 294 K
品牌: DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
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DT
www.daysemi.jp
双N通道30 -V (D -S )的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS ( ON)
(Ω)
0.0355在V
GS
= 10 V
0.044在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
6.5
5.8
3.7 NC
Q
g
(典型值)。
特点
•符合IEC 61249-2-21无卤素
德网络nition
• TrenchFET
®
功率MOSFET
• 100 % UIS测试
• 100 % R
g
经过测试
•符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶部
意见
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
•机顶盒
•低电流DC / DC
D
1
D
2
G
1
G
2
S
1
N沟道
MOSFET
S
2
N沟道
MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(T
J
= 150 °C)
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
± 20
6.5
a
5.2
5.2
B,C
4.2
B,C
24
2.25
1.48
B,C
5
1.25
2.7
1.77
1.78
B,C
1.14
B,C
- 55〜 150
mJ
单位
V
A
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
最大功率耗散
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
W
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结到脚(漏极)
A,C ,D
t
10 s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
58
38
最大
70
45
单位
° C / W
注意事项:
一。套餐的限制,T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
Ç 。 T = 10秒。
ð 。在稳态条件下最大为110 ° C / W 。
1