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DTM4953 参数 Datasheet PDF下载

DTM4953图片预览
型号: DTM4953
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内容描述: 双P通道30 V(D -S)的MOSFET [Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 309 K
品牌: DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
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DT
www.daysemi.jp
双P通道30 V(D -S)的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
(  )在V
GS
= - 10 V
R
DS ( ON)
(  )在V
GS
= - 4.5 V
I
D
(一)每腿
CON组fi guration
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
特点
- 30
0.045
0.085
- 6.6
S
1
S
2
• TrenchFET
®
功率MOSFET
• AEC- Q101标准
c
• 100 % R
g
和UIS测试
G
1
G
2
D
1
D
2
P沟道MOSFET P通道MOSFET
订购信息
铅( Pb),且无卤
SO-8
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续源电流(二极管传导)
漏电流脉冲
a
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
S
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
- 30
± 20
- 6.6
- 3.8
-3
- 26
- 17
14
3.3
1.1
- 55〜 + 175
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境
结到脚(漏极)
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒,占空比
2 %.
B 。当安装在1"正方形板( FR-4材料) 。
Ç 。参数验证正在进行中。
印刷电路板安装
b
符号
R
thJA
R
thJF
极限
110
45
单位
° C / W
1