DTM6910 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DTM6910
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内容描述：	N沟道100 V（ D- S）的MOSFET [N-Channel 100 V (D-S) MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 303 K
品牌：	DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]

www.daysemi.jp

N沟道100 V（ D- S）的MOSFET

产品概述

(V)

100

DS （ ON）

(Ω)

0.045在V

= 10 V

0.047在V

= 8 V

(A)

9.7

7.5

（典型值）。

23 NC

特点

•

无卤符合IEC 61249-2-21

德网络nition

•极低的Q

开关损耗

• 100 % R

经过测试

• 100 ％雪崩测试

•符合RoHS指令2002/95 / EC

应用

•初级侧开关

SO-8

顶部

意见

N沟道

MOSFET

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

= 25 °C

= 70 °C

= 25 °C

= 70 °C

= 25 °C

L = 0.1 mH的

= 25 °C

= 70 °C

= 25 °C

= 70 °C

符号

, T

英镑

极限

100

± 20

9.7

6.1

5.5

B，C

4.5

B，C

4.5

2.6

B，C

5.9

3.8

3.1

B，C

- 55〜 150

单位

连续漏电流（T

= 150 °C)

漏电流脉冲

连续源极 - 漏极二极管电流

单脉冲雪崩电流

单脉冲雪崩能量

最大功率耗散

工作结存储温度范围

°C

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

B，F

最大结到脚（漏极）

≤

10 s

稳定状态

符号

thJA

thJF

典型

最大

单位

° C / W

注意事项：

一。基于T

= 25 °C.

B 。表面装在1 “×1”的FR4基板。

Ç 。 T = 10秒。

ð 。在稳态条件下最大为80 ° C / W 。

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