DTM8201 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DTM8201
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内容描述：	双N沟道2.5 -V （ GS ） MOSFET漏极常见， ESD保护 [Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 2080 K
品牌：	DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]

双N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET

共漏， ESD保护

产品概述

(V)

DS （ ON）

(Ω)

0.017在V

= 4.5 V

0.020在V

= 2.5 V

(A)

6.5

5.5

www.din-tek.jp

DTM8201

特点

•

无卤素选项可用

• TrenchFET

功率MOSFET

• ESD保护： 3000 V

无铅

可用的

RoHS指令*

柔顺

TSSOP-8

顶视图

8 D2

7 S

6 S

5 G

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（T

= 150 °C)

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

最大功率耗散

工作结存储温度范围

= 25 °C

= 70 °C

= 25 °C

= 70 °C

符号

, T

英镑

1.5

0.96

- 55〜 150

6.5

5.5

1.0

0.64

°C

10 s

± 12

5.2

3.5

稳定状态

单位

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

最大结到脚（漏极）

注意事项：

一。表面安装在FR4板，T

≤

10 s.

*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免。

≤

10 s

稳定状态

符号

thJA

thJF

典型值。

100

马克斯。

120

° C / W

单位

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