DTP4N60/DTP4N60F/DTU4N60/DTL4N60
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
()
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
39
10
19
单身
600
2.2
www.din-tek.jp
特点
•
•
•
•
•
•
•
超低栅极电荷
降低栅极驱动要求
增强型30 V ，V
GS
等级
减少的C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
极高频操作
额定重复性雪崩
符合RoHS指令2002/95 / EC
可用的
RoHS指令*
柔顺
TO-220AB
TO-251
的TO-220 FULLPAK
TO-252
D
G
摹ð S
摹ð S
顶视图
顶部
意见
G
D
S
S
摹ð S
顶视图
顶部
意见
N沟道MOSFET
DTP4N60
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
DTP4N60F
DTU4N60
V
DS
DTL4N60
符号
V
GS
极限
600
± 30
4
2.9
25
1.0
530
6.2
13
125
3.0
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
单位
V
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
T
C
= 25 °C
10秒
6-32或M3螺丝
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 25 mH的，R
g
= 25
,
I
AS
= 6.2 A（见图12 ） 。
C.我
SD
6.2 A， di / dt的
80 A / μs的，V
DD
V
DS
, T
J
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
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DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
