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DTP9530_13 参数 Datasheet PDF下载

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型号: DTP9530_13
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内容描述: N通道30 -V (D -S ) MOSFET无卤 [N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Halogen-free]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 2433 K
品牌: DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
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N通道30 -V (D -S )的MOSFET
www.din-tek.jp
DTP9530
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS ( ON)
(Ω)
0.0048在V
GS
= 10 V
0.006在V
GS
=
特点
I
D
(A)
a
26
26.5 NC
23.3
Q
g
(典型值)。
无卤
• TrenchFET
®
功率MOSFET
• 100 % R
g
和UIS测试
RoHS指令
柔顺
4.5 V
应用
采用PowerPAK SO- 8
• DC / DC转换器
- 低边开关
•笔记本电脑
•游戏
5.15 mm
D
6.15 mm
S
1
2
3
S
S
G
4
D
8
7
6
5
D
D
D
G
S
N沟道
MOSFET
底部
意见
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(T
J
= 150 °C)
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
± 20
26
22.6
21.5
B,C
17.1
B,C
70
5.4
2.7
B,C
40
80
6.0
3.3
3.0
B,C
1.9
B,C
- 55〜 150
mJ
单位
V
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
单脉冲雪崩电流
雪崩能量
A
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
最大功率耗散
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
W
°C
热电阻额定值
参数
最大
最大结到脚(漏极)
结到环境
B,D
t
10 s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
33
16
最大
42
21
单位
° C / W
注意事项:
一。基于T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
Ç 。 T = 10秒。
ð 。在稳态条件下最大为85 ° C / W 。
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