DTP9531_13 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DTP9531_13
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内容描述：	P沟道30 V （D -S ）的MOSFET极低的RDS（on ） [P-Channel 30 V (D-S) MOSFET Extremely low RDS(on)]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 1662 K
品牌：	DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]

P沟道30 V （D -S ）的MOSFET

特点

产品概述

(V)

DS （ ON）

（ Ω ）最大。

0.0078在V

= - 10 V

- 30

0.0082在V

= - 6 V

0.0092在V

= - 4.5 V

D A

- 26

- 23

- 20

66 NC

（典型值）。

www.din-tek.jp

DTP9531

=扩展V

范围（ ± 25 V）的适配器开关

应用

•非常低R

DS （ ON）

• TrenchFET

功率MOSFET

• 100 % R

和UIS测试

•典型的ESD性能： 4000 V（ HBM ）

采用PowerPAK SO- 8

应用

•适配器开关，负载开关

•电源管理

6.15 mm

5.15 mm

•

笔记本电脑和便携式

电池组

P沟道MOSFET

底部视图

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

= 25 °C

连续漏电流（T

= 150 °C)

= 70 °C

= 25 °C

= 70 °C

漏电流脉冲（ T = 300微秒）

连续源极 - 漏极二极管电流

单脉冲雪崩电流

单脉冲雪崩能量

= 25 °C

L = 0.1 mH的

= 25 °C

最大功率耗散

= 70 °C

= 25 °C

= 70 °C

工作结存储温度范围

, T

英镑

符号

极限

- 30

± 25

- 26

- 20.7

- 17.3

- 13.9

B，C

- 60

- 5.8

B，C

- 2.6

B，C

- 40

6.9

4.4

3.1

B，C

- 55〜 150

单位

°C

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

B，D

最大结到脚（漏极）



10 s

稳定状态

符号

thJA

thJF

典型

最大

单位

° C / W

注意事项：

一。基于T

= 25 °C.

B 。表面安装1" X 1" FR4板。

Ç 。 T = 10秒。

ð 。在稳态条件下最大为90 ° C / W 。

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