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    DTS03K16_13 参数 Datasheet PDF下载

    DTS03K16_13图片预览
    型号： DTS03K16_13
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道16V （DA ???? S） MOSFET TrenchFET ？功率MOSFET [N-Channel 16V (D−S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 1671 K
    品牌： DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
     浏览型号DTS03K16_13的Datasheet PDF文件第1页浏览型号DTS03K16_13的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DTS03K16_13的Datasheet PDF文件第4页浏览型号DTS03K16_13的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DTS03K16_13的Datasheet PDF文件第6页浏览型号DTS03K16_13的Datasheet PDF文件第7页浏览型号DTS03K16_13的Datasheet PDF文件第8页  
    www.din-tek.jp
    规格（T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    范围
    参数
    STATIC
    漏源击穿电压
    栅极阈值电压
    门体漏
    零栅极电压漏极电流
    V
    （ BR ） DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 10
    mA
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 0.25毫安
    V
    DS
    = 0 V, V
    GS
    =
    "20
    V
    V
    DS
    = 16 V, V
    GS
    = 0 V
    V
    DS
    = 16 V, V
    GS
    = 0 V ，T
    J
    = 55_C
    V
    DS
    = 10 V V
    GS
    = 10 V
    V,
    8V
    DTS03K16
    DTS03K16A
    0.5
    0.8
    0.8
    0.47
    550
    0.85
    1.2
    1.4
    1.0
    16
    1.0
    2.0
    3.0
    "100
    1
    10
    V
    nA
    mA
    DTS03K16
    符号
    测试条件
    民
    典型值
    最大
    单位
    导通状态
    在国家漏极电流
    a
    I
    D( )
    D（上）
    A
    漏源导通电阻
    a
    正向跨导
    a
    二极管的正向电压
    r
    DS （ ON）
    g
    fs
    V
    SD
    V
    GS
    = 4.5 V，I
    D
    = 0.1 A
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 0.3 A
    V
    DS
    = 10 V，I
    D
    = 0.3 A
    I
    S
    = 0.3 A，V
    GS
    = 0 V
    W
    mS
    V
    动态
    b
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    栅极电阻
    开启
    启动时间
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    R
    g
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    DD
    = 15 V ，R
    L
    = 50
    W
    I
    D
    ^
    0 3 A V
    根
    = 10 V
    0.3 A,
    R
    G
    = 6
    W
    V
    DS
    = 16 V, V
    GS
    = 10 V
    I
    D
    ^
    0.3 A
    1000
    205
    200
    48
    4.5
    8
    9
    6.3
    8
    15
    15
    12
    ns
    W
    1500
    pC
    打开-O FF时间
    笔记
    一。脉冲测试： PW
    v300
    ms
    占空比
    v2%.
    B 。通过设计保证，不受生产测试。
    典型特征（ 25_C除非另有说明）
    输出特性
    0.8
    0.7
    0.6
    I
    D
    −
    漏电流（ A）
    0.5
    0.4
    0.3
    0.2
    3V
    0.1
    0.0
    0.0
    2V
    0.4
    0.8
    1.2
    1.6
    2.0
    0.0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    V
    GS
    −
    栅极 - 源极电压（ V）
    I
    D
    −
    漏电流（ A）
    V
    GS
    = 10直通5 V
    4V
    0.8
    1.0
    传输特性
    0.6
    0.4
    T
    J
    = 125_C
    0.2
    25_C
    −55_C
    V
    DS
    −
    漏极至源极电压（ V）
    2

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