DTS2012_13 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DTS2012_13
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内容描述：	N沟道30 V （D -S ） MOSFET无卤 [N-Channel 30 V (D-S) MOSFET Halogen-free]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 1870 K
品牌：	DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]

N沟道30 V （D -S ）的MOSFET

产品概述

(V)

DS （ ON）

()

0.045在V

= 10 V

0.049在V

= 4.5 V

0.060在V

= 2.5 V

(A)

4 NC

（典型值）。

www.din-tek.jp

DTS2012

特点

•

无卤符合IEC 61249-2-21

德网络nition

• TrenchFET

功率MOSFET

•典型ESD保护2000 V HBM

• 100 % R

经过测试

•符合RoHS指令2002/95 / EC

SOT-323

SC- 70 （ 3 -信息）

应用

•便携式设备

- 负荷开关

- 电池开关

•负荷开关电机，继电器和螺线管

顶部

意见

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

= 25 °C

连续漏电流（T

= 150 °C)

= 70 °C

= 25 °C

= 70 °C

漏电流脉冲（ T = 300微秒）

连续源极 - 漏极二极管电流

= 25 °C

最大功率耗散

= 70 °C

= 25 °C

= 70 °C

工作结存储温度范围

, T

英镑

符号

极限

± 12

A， B，C

3.7

B，C

2.3

1.3

B，C

2.8

1.8

1.56

B，C

1.0

B，C

- 55〜 150

°C

单位

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

B，D

最大结到脚（漏极）



稳定状态

符号

thJA

thJF

典型

最大

单位

° C / W

注意事项：

一。套餐的限制，T

= 25 °C.

B 。表面安装1" X 1" FR4板。

Ç 。 T = 5秒。

ð 。在稳态条件下最大为125 ° C / W 。

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