DTS2212_13 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DTS2212_13
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内容描述：	双N沟道20 V （D -S ） MOSFET无卤 [Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET Halogen-free]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 366 K
品牌：	DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]

www.din-tek.jp

双N沟道20 V （D -S ）的MOSFET

特点

产品概述

(V)

DS （ ON）

(Ω)

0.198在V

= 4.5 V

0.225在V

= 2.5 V

0.263在V

= 1.8 V

(A)

1.3

0.9 NC

（典型值）。

•

无卤符合IEC 61249-2-21

德网络nition

• TrenchFET

功率MOSFET

• 100 % R

经过测试

•典型ESD保护2100 V HBM

•符合RoHS指令2002/95 / EC

应用

•负载开关，用于便携式应用

SOT-363

SC - 70 （ 6引线）

顶部

意见

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

= 25 °C

连续漏电流（T

= 150 °C)

= 70 °C

= 25 °C

= 70 °C

漏电流脉冲

连续源极 - 漏极二极管电流

= 25 °C

最大功率耗散

= 70 °C

= 25 °C

= 70 °C

工作结存储温度范围

, T

英镑

符号

极限

±8

1.3

A， B，C

1.2

B，C

0.61

B，C

1.25

0.8

0.74

B，C

0.47

B，C

- 55〜 150

°C

单位

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

B，D

符号

≤

稳定状态

thJA

thJF

典型

130

最大

170

100

单位

° C / W

最大结到脚（漏极）

注意事项：

一。包装有限。

B 。表面安装1" X 1" FR4板。

Ç 。 T = 5秒。

ð 。在稳态条件下最大为220 ° C / W 。

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