DTS2305 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DTS2305
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内容描述：	P沟道20 V （D -S ） MOSFET无卤 [P-Channel 20 V (D-S) MOSFET Halogen-free]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 552 K
品牌：	DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]

P沟道20 V （D -S ）的MOSFET

产品概述

(V)

DS （ ON）

(Ω)

0.065在V

= - 4.5 V

- 20

0.090在V

= - 2.5 V

0.110在V

= - 1.8 V

0.165在V

= - 1.5 V

(A)

-4

- 3.8

- 3.3

- 0.5

7.6 NC

（典型值）。

特点

•

无卤符合IEC 61249-2-21

德网络nition

• TrenchFET

功率MOSFET

• 100 % R

经过测试

•典型的ESD性能

1200

•

AEC- Q101 Qualifiedc

•符合RoHS指令2002/95 / EC

应用

•负载开关，用于便携式设备

TO-236

(SOT-23)

顶部

意见

DTS

P沟道MOSFET

订货信息：

DTS2305

（铅（ Pb），并且无卤素）

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

= 25 °C

= 70 °C

= 25 °C

= 70 °C

= 25 °C

= 70 °C

= 25 °C

= 70 °C

符号

极限

- 20

±8

-4

- 3.5

- 3.7

B，C

- 2.9

B，C

- 20

- 1.5

- 1.0

B，C

1.8

1.1

1.25

B，C

0.8

B，C

- 55〜 150

260

单位

连续漏电流（T

= 150 °C)

漏电流脉冲

连续源极 - 漏极二极管电流

最大功率耗散

, T

英镑

工作结存储温度范围

焊接建议（峰值温度）

D，E

°C

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

最大结到脚（漏极）

注意事项：

一。牛逼

= 25 °C.

B 。表面安装1" X 1" FR4板。

Ç 。 T = 5秒。

ð 。在稳态条件下最大为130 ° C / W 。

B，D

≤

稳定状态

符号

thJA

thJF

典型

最大

100

单位

° C / W

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