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型号: DTS2315
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内容描述: P沟道20 V ( DS ) MOSFET TrenchFET功率MOSFET [P-Channel 20 V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 1904 K
品牌: DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
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P沟道20 V (D -S )的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
- 20
R
DS ( ON)
( Ω )最大。
0.065在V
GS
= - 4.5 V
0.090在V
GS
= - 2.5 V
0.1175在V
GS
= - 1.8 V
I
D
(A)
a
- 4.5
- 3.7
- 3.3
13.8 NC
Q
g
(典型值)。
www.din-tek.jp
DTS2315
• TrenchFET
®
功率MOSFET
• 100 % R
g
经过测试
应用
用于便携式和消费类电源管理
- 负荷开关
- DC / DC转换器
TO-236
(SOT-23)
S
G
1
G
3
S
2
D
顶视图
D
P沟道MOSFET
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
D,E
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
连续漏电流(T
J
= 150 °C)
漏电流脉冲( T = 300微秒)
连续源极 - 漏极二极管电流
极限
- 20
± 12
- 4.5
- 3.7
- 3.5
B,C
- 2.6
B,C
- 20
- 1.4
- 1
B,C
1.7
1.1
1
B,C
0.6
B,C
- 55〜 150
260
单位
V
A
最大功率耗散
P
D
T
J
, T
英镑
W
工作结存储温度范围
焊接建议(峰值温度)
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
B,D
最大结到脚(漏极)
注意事项:
一。牛逼
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
Ç 。 T = 5秒。
ð 。在稳态条件下最大为175 ° C / W 。
t
5s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
100
60
最大
130
75
单位
° C / W
1