DTS3401
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P通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特点
I
D
(A)
A，E
- 5.9
7 NC
- 4.6
Q
g
（典型值）。
产品概述
V
DS
(V)
- 30
R
DS （ ON）
(Ω)
0.045在V
GS
= - 10 V
0.075在V
GS
= - 4.5 V
•
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
• TrenchFET
®
功率MOSFET
• 100 % R
g
经过测试
•符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
TO-236
(SOT-23)
- 负荷开关
•笔记本适配器开关
• DC / DC转换器
S
G
1
3
D
G
S
2
顶部
意见
DTS3401A
D
订货信息：
Si2343CDS -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
P沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
- 30
± 20
- 5.9
- 4.7
- 4.2
B，C
- 3.3
B，C
- 25
- 2.1
- 1
B，C
2.5
1.6
1.25
B，C
0.8
B，C
- 55〜 150
°C
W
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
B，D
最大结到脚（漏极）
t
≤
5s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
75
40
最大
100
50
单位
° C / W
注意事项：
一。基于T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
Ç 。 T = 5秒。
ð 。在稳态条件下最大为166 ° C / W 。
Ë 。包装有限。
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DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
