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DTS4500_13 参数 Datasheet PDF下载

DTS4500_13图片预览
型号: DTS4500_13
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内容描述: N沟道40 V (D -S ) MOSFET无卤 [N-Channel 40 V (D-S) MOSFET Halogen-free]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 2042 K
品牌: DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
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N沟道40 V (D -S )的MOSFET
www.din-tek.jp
DTS4500
产品概述
V
DS
(V)
40
R
DS ( ON)
()
0.040在V
GS
= 10 V
0.055在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
3.6
3.1
Q
g
(典型值)。
2.9 NC
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
• TrenchFET
®
功率MOSFET
• 100 % R
g
经过测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
TO-236
(SOT-23)
D
应用
• DC / DC转换
- 负荷开关
•便携和消费应用
G
1
3
D
S
2
G
顶视图
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
I
DM
I
S
符号
V
DS
V
GS
极限
40
± 20
3.6
a
2.5
3.3
B,C
2.5
B,C
20
1.75
1.04
B,C
2.1
1.3
1.25
B,C
0.8
B,C
- 55〜 150
260
A
单位
V
连续漏电流(T
J
= 150 °C)
I
D
最大功率耗散
P
D
W
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
焊接建议(峰值温度)
T
J
, T
英镑
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
B,D
最大结到脚(漏极)
t
5s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
80
40
最大
100
60
单位
° C / W
注意事项:
一。基于T
C
= 25 °C
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
Ç 。 T = 5秒。
ð 。在稳态条件下最大为125 ° C / W 。
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