DTS64011 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DTS64011
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内容描述：	P沟道60 V （D -S ） MOSFET无卤 [P-Channel 60 V (D-S) MOSFET Halogen-free]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 437 K
品牌：	DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]

P沟道60 V （D -S ）的MOSFET

特点

产品概述

(V)

- 60

DS （ ON）

()

6在V

= - 10 V

GS （ TH）

(V)

- 1 - 3

（MA ）

- 185

TO-236

(SOT-23)

•

无卤符合IEC 61249-2-21

德网络nition

• TrenchFET

功率MOSFET

•高侧开关

•低导通电阻： 6



•低阈值： - 2 V （典型值）。

•快速Swtiching速度： 20 ns（典型值）。

•低输入电容： 20 pF的（典型值）。

•

1200

V ESD保护

•符合RoHS指令2002/95 / EC

应用

•驱动程序：继电器，螺线管，照明灯，锤子，显示器，

回忆，晶体管等。

•电池供电系统

•电源转换器电路

•固态继电器

顶视图

DTS

P沟道MOSFET

好处

•

缓解驾驶开关

低失调（错误）电压

低电压操作

高速电路

轻松驱动无缓冲器

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

功耗

最大结点到环境

工作结存储温度范围

注意事项：

一。表面安装在FR4板。

B 。脉冲宽度有限的最高结温。

符号

= 25 °C

= 100 °C

= 25 °C

= 100 °C

thJA

英镑

极限

- 60

± 20

- 185

- 115

- 800

350

140

350

- 55〜 150

单位

° C / W

°C

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