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DTS6504 参数 Datasheet PDF下载

DTS6504图片预览
型号: DTS6504
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内容描述: 无卤符合IEC 61249-2-21 [Halogen-free According to IEC 61249-2-21]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 381 K
品牌: DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
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DT
www.daysemi.jp
N沟道30 V (D -S )的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS ( ON)
()
0.028在V
GS
= 10 V
0.033在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
A,E
6
4.2 NC
6
Q
g
(典型值)。
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
• TrenchFET
®
功率MOSFET
•低导通电阻
100 % R
g
经过测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
SOT-363
SC - 70 ( 6引线)
D
1
6
D
应用
• DC / DC转换器,高速开关
D
2
5
D
G
3
4
S
顶视图
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流(T
J
= 150 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲( T = 300微秒)
连续源极 - 漏极二极管电流
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
焊接建议(峰值温度)
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
30
± 20
6
e
6
e
5.5
B,C
4.4
B,C
25
2.1
1.1
B,C
2.5
1.6
1.3
B,C
0.8
B,C
- 55〜 150
260
W
A
单位
V
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
B,D
符号
t
5s
稳定状态
R
thJA
R
thJF
典型
75
40
最大
100
50
单位
° C / W
最大结到脚(漏极)
注意事项:
一。基于T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
Ç 。 T = 5秒。
ð 。在稳态条件下最大为166 ° C / W 。
Ë 。包装有限。
1