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    DTU09N03_13 参数 Datasheet PDF下载

    DTU09N03_13图片预览
    型号： DTU09N03_13
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道30 V （D -S ） MOSFET无卤 [N-Channel 30 V (D-S) MOSFET Halogen-free]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 1489 K
    品牌： DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
     浏览型号DTU09N03_13的Datasheet PDF文件第1页浏览型号DTU09N03_13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTU09N03_13的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DTU09N03_13的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DTU09N03_13的Datasheet PDF文件第6页浏览型号DTU09N03_13的Datasheet PDF文件第7页浏览型号DTU09N03_13的Datasheet PDF文件第8页  
    典型特征
    25 ℃，除非另有说明
    100
    2.1
    www.din-tek.jp
    DTU09N03
    I
    S
    - 源电流（ A）
    T
    J
    = 150 °C
    10
    V
    GS （ TH）
    (V)
    1.7
    I
    D
    = 250 μA
    1.3
    T
    J
    = 25 °C
    1
    0.9
    0.1
    0.0
    0.3
    0.6
    0.9
    1.2
    0.5
    - 50
    - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    V
    SD
    - 源极到漏极电压（V ）
    T
    J
    - 温度（℃ ）
    源极 - 漏极二极管正向电压
    3750
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    43
    阈值电压
    3000
    Ç - 电容（pF ）
    C
    国际空间站
    41
    I
    D
    = 250 μA
    39
    2250
    1500
    C
    OSS
    750
    C
    RSS
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    37
    35
    33
    - 50
    - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    T
    J
    - 温度（℃ ）
    电容
    2.0
    I
    D
    = 20 A
    1.7
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻
    V
    GS
    = 10 V
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    漏源击穿与结温
    100
    80
    （归一化）
    1.4
    V
    GS
    = 4.5 V
    1.1
    60
    包装有限公司
    40
    0.8
    20
    0.5
    - 50
    0
    - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    T
    J
    - 结温（ ° C）
    T
    C
    - 外壳温度（ ° C）
    导通电阻与结温
    电流降额
    4

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