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DTU19P10图片预览
型号: DTU19P10
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内容描述: P沟道100伏(D -S ) MOSFET无卤 [P-Channel 100 V (D-S) MOSFET Halogen-free]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 1859 K
品牌: DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
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P沟道100 V( D- S)的MOSFET
www.din-tek.jp
DTU19P10
产品概述
V
DS
(V)
- 100
R
DS ( ON)
(Ω)
0.195在V
GS
= - 10 V
0.210在V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
- 19
- 17
Q
g
(典型值)。
11.7
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
• TrenchFET
®
功率MOSFET
• 100 % R
g
和UIS测试
•符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
- 电源开关
• DC / DC转换
TO-252
S
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
D
P沟道MOSFET
顶视图
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(T
J
= 150 °C)
漏电流脉冲
雪崩电流
单雪崩能量
最大功率
a
符号
V
DS
V
GS
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
I
D
I
DM
I
AS
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
c
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
- 100
± 20
- 19
- 12.1
- 45
- 18
16.2
32.1
b
2.5
- 55〜 150
单位
V
A
mJ
W
°C
耗散
a
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
结到环境(印刷电路板安装)
结至外壳(漏)
注意事项:
一。占空比
1 %.
B 。看到SOA曲线电压降额。
Ç 。当安装在1"正方形板( FR-4材料) 。
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
50
3.9
单位
° C / W
1