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DT
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
18
3.0
8.9
单身
600
4.4
特点
•
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
•动态的dv / dt额定值
•额定重复性雪崩
•表面贴装（ IRFRC20 ， SiHFRC20 ）
•直铅（ IRFUC20 ， SiHFUC20 ）
•可用磁带和卷轴
•快速开关
•易于并联的
•符合RoHS指令2002/95 / EC
D
DPAK
(TO-252)
D
D
IPAK
(TO-251)
G
G
S
G
ð S
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限
600
± 20
2.0
1.3
8.0
0.33
0.020
74
2.0
4.2
42
2.5
3.0
- 55至+ 150
260
d
单位
V
A
脉冲漏
I
DM
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装）
e
E
AS
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
I
AR
a
重复性雪崩能量
E
AR
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
P
D
e
最大功率耗散（ PCB安装）
T
A
= 25 °C
峰值二极管恢复的dv / dt
c
dv / dt的
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 37 mH的，R
g
= 25
Ω,
I
AS
= 2.0 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
2.0 A ， di / dt的
≤
40 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
Ë 。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
1
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