DTU30N02_13 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DTU30N02_13
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内容描述：	N通道20 -V （D -S ） MOSFET无卤 [N-Channel 20-V (D-S) MOSFET Halogen-free]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 1726 K
品牌：	DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]

N通道20 -V （D -S ）的MOSFET

产品概述

(V)

DS （ ON）

(Ω)

0.015在V

= 10 V

0.024在V

0.033at V

www.din-tek.jp

DTU30N02

特点

(A)

15.5 NC

（典型值）。

4.5 V

2.5 V

•

无卤符合IEC 61249-2-21

德网络nition

• TrenchFET

第三代功率MOSFET

• 100 % R

经过测试

• 100 ％ UIS测试

•符合RoHS指令2002/95 / EC

TO-252

应用

• DC / DC

•低电压驱动

• POL

N沟道MOSFET

顶部

意见

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

= 25 °C

= 70 °C

= 25 °C

= 70 °C

= 25 °C

L = 0.1 mH的

= 25 °C

= 70 °C

= 25 °C

= 70 °C

符号

极限

± 12

22.6

B，C

18.2

B，C

4.1

B，C

27.7

17.7

4.6

B，C

3.0

B，C

- 55〜 150

260

单位

连续漏电流（T

= 150 °C)

漏电流脉冲

连续源极 - 漏极二极管电流

单脉冲雪崩电流

单脉冲雪崩能量

最大功率耗散

工作结存储温度范围

焊接建议（峰值温度）

, T

英镑

°C

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

最大结至外壳（漏）

注意事项：

一。包装有限。

B 。表面安装1" X 1" FR4板。

Ç 。 T = 10秒。

≤

10 s

稳定状态

符号

thJA

thJC

典型

3.5

最大

4.5

单位

° C / W

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