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DTU40N10 参数 Datasheet PDF下载

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型号: DTU40N10
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内容描述: N沟道100 -V ( DS ) MOSFET TrenchFET功率MOSFET, [N-Channel 100-V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFETS]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 509 K
品牌: DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
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www.din-tek.jp
DT
N沟道100 -V (D -S )的MOSFET
产品概述
V
( BR ) DSS
(V)
100
r
DS ( ON)
(Ω)
0.030在V
GS
= 10 V
0.034在V
GS
= 6 V
I
D
(A)
40
37.5
特点
• TrenchFET
®
功率MOSFET
• 175 ° C的结温
•低热阻封装
可用的
RoHS指令*
柔顺
D
TO-252
G
G
D
S
顶视图
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(T
J
= 175 °C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
最大功率
a
符号
V
DS
V
GS
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
I
D
I
DM
I
AR
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
c
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
100
± 20
40
23
75
35
61
107
b
3.75
- 55〜 175
单位
V
A
mJ
W
°C
耗散
a
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
结到环境
结至外壳(漏)
注意事项:
一。占空比
1 %.
B 。看到SOA曲线电压降额。
Ç 。当安装在1"正方形板( FR-4材料) 。
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免。
( PCB安装)
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
1.4
单位
° C / W
1