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DTU90N03_13 参数 Datasheet PDF下载

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型号: DTU90N03_13
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内容描述: N通道30 -V ( DS ) MOSFET TrenchFET功率MOSFET [N-Channel 30-V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 1903 K
品牌: DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
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N通道30 -V (D -S )的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS ( ON)
()
0.0029在V
GS
= 10 V
0.0033在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
A,E
90
90
D
www.din-tek.jp
DTU90N03
Q
g
(典型值)
82 NC
• TrenchFET
®
功率MOSFET
• 100 % R
g
和UIS测试
•符合RoHS指令2011/65 / EU
应用
•的OR-ing
•服务器
• DC / DC
TO-252
G
G
D
S
顶视图
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流(T
J
= 175 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲
雪崩电流脉冲
单脉冲雪崩能量
连续源极 - 漏极二极管电流
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
AS
E
AS
I
S
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
30
± 20
90
A,E
90
e
28.8
B,C
27
B,C
90
36
64.8
90
A,E
3.13
B,C
250
a
175
3.75
B,C
2.63
B,C
- 55〜 175
°C
W
V
A
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
B,D
最大结到外壳
t
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型值。
32
0.5
马克斯。
40
0.6
单位
° C / W
注意事项:
一。基于T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
Ç 。 T = 10秒。
ð 。在稳态条件下最大为90 ° C / W 。
Ë 。基于最大结温计算。套餐限制电流为90 A.
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