BC847PN
BC847PN
NPN
PNP
Complementary Surface Mount General Purpose Si-Planar Transistors
Komplementäre Si-Planar Transistoren für die Oberflächenmontage
NPN
PNP
300 mW
SOT-363
0.01 g
Version 2006-09-05
2
±0.1
2 x 0.65
6
5
4
0.9
±0.1
1.25
±0.1
2.1
±0.1
Power dissipation
Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Type
Code
1
2
3
2.4
Dimensions - Maße [mm]
6 = C1
5 = B2
4 = E2
1 = E1
2 = B1
3 = C2
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
per transistor – pro Transistor
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
V
CBO
V
CEO
V
EB0
P
tot
I
C
I
CM
I
BM
T
j
T
S
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
BC847PN
45 V
50 V
6V
300 mW
)
100 mA
200 mA
200 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (T
j
= 25°C)
Min.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
V
CE
= 5 V, I
C
= 2 mA
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 2 mA
I
C
= 10 mA, I
B
= 0.5 mA
I
C
= 100 mA, I
B
= 5 mA
- I
C
= 10 mA, - I
B
= 0.5 mA
- I
C
= 100 mA, - I
B
= 5 mA
T1 - NPN
T2 - PNP
h
FE
h
FE
V
CEsat
V
CEsat
- V
CEsat
- V
CEsat
200
220
–
–
–
–
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Typ.
–
–
–
–
–
–
Max.
450
475
250 mV
600 mV
300 mV
650 mV
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung
)
T1 - NPN
T2 - PNP
1
2
Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
