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    2N7002W 参数 Datasheet PDF下载

    2N7002W图片预览
    型号： 2N7002W
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 塑料封装晶体管 [Plastic-Encapsulated Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 274 K
    品牌： DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
     浏览型号2N7002W的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N7002W的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N7002W的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N7002W的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2N7002W的Datasheet PDF文件第6页  
    2N7002W - N沟道增强型场效应晶体管
    电气特性
    符号
    参数
    开关特性
    (Note1)
    BV
    DSS
    I
    DSS
    I
    GSS
    T
    C
    = 25 ° C除非另有说明
    测试条件
    民
    典型值
    最大
    单位
    漏源击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    门体漏
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    =10uA
    V
    DS
    = 60V, V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 60V, V
    GS
    = 0V ， @T
    C
    = 125°C
    V
    GS
    = ±20V, V
    DS
    = 0V
    60
    -
    -
    78
    0.001
    7
    0.2
    -
    1.0
    500
    ±10
    V
    uA
    nA
    基本特征
    (Note1)
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    I
    D（上）
    g
    FS
    栅极阈值电压
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250uA
    1.0
    -
    -
    0.5
    80
    1.76
    1.6
    2.53
    1.43
    356.5
    2.0
    7.5
    13.5
    -
    -
    V
    Ω
    A
    mS
    Satic漏源导通电阻V
    GS
    = 5V ，我
    D
    = 0.05A,
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 0.5A ， @T
    j
    = 125°C
    通态漏电流
    正向跨导
    V
    GS
    = 10V, V
    DS
    = 7.5V
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 0.2A
    动态特性
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    V
    DS
    = 25V, V
    GS
    = 0V ， F = 1.0MHz的
    -
    -
    -
    37.8
    12.4
    6.5
    50
    25
    7.0
    pF
    pF
    pF
    开关特性
    t
    D（上）
    t
    D（关闭）
    导通延迟时间
    打开-O FF延迟时间
    V
    DD
    = 30V ，我
    D
    = 0.2A ，V
    根
    = 10V
    R
    L
    = 150Ω, R
    根
    = 25Ω
    -
    -
    5.85
    12.5
    20
    20
    ns
    注1 ：持续时间短的测试脉冲用于最小化自加热效应
    .
    ©2007仙童半导体公司
    2N7002W版本A
    2
    www.fairchildsemi.com

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