BC847PN
BC847PN
NPN
PNP
互补的表面贴装通用硅平面晶体管
Komplementäre硅平面Transistoren献给死去Oberflächenmontage
NPN
PNP
300毫瓦
SOT-363
0.01 g
版本2006-09-05
2
±0.1
2 x 0.65
6
5
4
0.9
±0.1
1.25
±0.1
2.1
±0.1
功耗
Verlustleistung
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
TYPE
CODE
1
2
3
2.4
尺寸 - 集体[MM ]
6 = C1
5 = B2
4 = E2
1 = E1
2 = B1
3 = C2
最大额定值（T
A
= 25°C)
每个晶体管 - 晶体管亲
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
CBO
V
首席执行官
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
I
BM
T
j
T
S
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
BC847PN
45 V
50 V
6V
300毫瓦
)
百毫安
200毫安
200毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhältnis
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
- I
C
= 10毫安， - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 5毫安
T1 - NPN
T2 - PNP
h
FE
h
FE
V
CESAT
V
CESAT
- V
CESAT
- V
CESAT
200
220
–
–
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
–
–
–
马克斯。
450
475
250毫伏
600毫伏
300毫伏
650毫伏
集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor - Sättigungsspannung
)
T1 - NPN
T2 - PNP
1
2
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Lötpad ）的jedem并吞
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比≤ 2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhältnis ≤ 2％
http://www.diotec.com/
©德欧泰克半导体公司
1
DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
