BZX84C2V4 - BZX84C39
30
T
j
= 25°C
C10
C12
1,000
T
J
= 25°C
C
T
，总电容（PF ）
V
R
= 1V
V
R
= 2V
I
Z
，齐纳电流（毫安）
20
C15
C18
测试电流I
Z
2mA
100
V
R
= 1V
10
测试电流I
Z
5mA
C22
C27
C33
C36
C39
V
R
= 2V
0
0
10
20
30
40
V
Z
齐纳电压（V）
图。 3典型的齐纳击穿特性
100
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
图。 4典型的总电容量与标称齐纳电压
10
1
订购信息
（注7 ）
产品型号
（类型号）-7 -F （注8）
（类型号）-13 -F （注9）
注意事项：
例
SOT-23
SOT-23
包装
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
7.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
8.添加“ -7 - F”到相应型号的电气特性表的第2页。示例： 6.2V稳压= BZX84C6V2-7 -F 。
9.添加“ -13 - F”到相应型号的电气特性表的第2页。示例： 2.7V稳压= BZX84C2V7-13 -F 。请注意：并不是所有的
电压在13 “辘的大小可用。请在订购13 “卷轴大小的设备联系二极管公司销售部寻求帮助。
标识信息
XXX =产品型号标识代码
（请参阅电气特性表）
YM =日期代码标
Y =年（例如： N = 2002）
M =月（例如： 9 =九月）
2006
T
JUN
6
2007
U
JUL
7
2008
V
2009
W
八月
8
2010
X
SEP
9
2011
Y
2012
Z
十月
O
2013
A
NOV
N
2014
B
2015
C
DEC
D
xxx
日期代码的关键
YEAR
1998
CODE
J
MONTH
CODE
JAN
1
1999
K
2000
L
FEB
2
2001
M
MAR
3
2002
N
2003
P
APR
4
2004 2005
R
S
五月
5
包装外形尺寸
A
YM
B C
H
K
D
J
F
G
L
M
K1
SOT-23
暗淡
民
最大
典型值
A
0.37
0.51
0.40
B
1.20
1.40
1.30
C
2.30
2.50
2.40
D
0.89
1.03 0.915
F
0.45
0.60 0.535
G
1.78
2.05
1.83
H
2.80
3.00
2.90
J
0.013 0.10
0.05
K
0.903 1.10
1.00
K1
-
-
0.400
L
0.45
0.61
0.55
M
0.085 0.18
0.11
0°
8°
-
α
尺寸：mm
2010年4月
© Diodes公司
BZX84C2V4 - BZX84C39
文件编号： DS18001牧师28 - 2
3 4
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