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    FZT649 参数 Datasheet PDF下载

    FZT649图片预览
    型号： FZT649
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： SOT223 NPN硅平面高性能晶体管 [SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管PC局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 94 K
    品牌： DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
     浏览型号FZT649的Datasheet PDF文件第2页  
    SOT223 NPN硅平面
    高性能晶体管
    第4期？ 1996年2月
    特点
    * 25伏V
    首席执行官
    * 3安培连续电流
    *低饱和电压
    *优秀ħ
    FE
    指定高达6A
    互补式 -
    PARTMARKING详细信息 -
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    在T功耗
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    参数
    集电极 - 基
    击穿电压
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    发射极 - 基极击穿
    电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    基射
    饱和电压
    基射
    导通电压
    静态正向电流
    传输比
    跃迁频率
    输出电容
    开关时间
    符号最小值。
    35
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE
    70
    100
    75
    15
    150
    0.12
    0.40
    0.9
    0.8
    200
    200
    150
    50
    240
    25
    55
    300
    25
    5
    0.1
    10
    0.1
    0.3
    0.6
    1.25
    1.0
    300
    兆赫
    50
    pF
    ns
    ns
    FZT749
    FZT649
    C
    E
    C
    B
    FZT649
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    典型值。
    马克斯。
    价值
    35
    25
    5
    8
    3
    2
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    µ
    A
    µ
    A
    µ
    A
    绝对最大额定值。
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    °C
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    条件。
    I
    C
    =100
    µ
    A
    I
    C
    =10mA*
    I
    E
    =100
    µ
    A
    V
    CB
    =30V
    V
    CB
    =30V,
    T
    AMB
    =100°C
    V
    EB
    =4V
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =100mA*
    I
    C
    = 3A ，我
    B
    =300mA*
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =100mA*
    I
    C
    = 1A ，V
    CE
    =2V*
    I
    C
    = 50mA时V
    CE
    =2V*
    I
    C
    = 1A ，V
    CE
    =2V*
    I
    C
    = 2A ，V
    CE
    =2V*
    I
    C
    = 6A ，V
    CE
    =2V*
    I
    C
    = 100mA时V
    CE
    =5V
    f=100MHz
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    I
    C
    = 500毫安，V
    CC
    =10V
    I
    B1
    =I
    B2
    =50mA
    V
    V
    V
    V
    f
    T
    C
    敖包
    t
    on
    t
    关闭
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
    µ
    秒。占空比
    ≤
    2%
    辣妹参数数据可应要求提供此设备
    3 - 205

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