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    FZT749 参数 Datasheet PDF下载

    FZT749图片预览
    型号： FZT749
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： SOT223 PNP硅平面中功率晶体管 [SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管功率双极晶体管PC局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 90 K
    品牌： DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
     浏览型号FZT749的Datasheet PDF文件第2页  
    SOT223 PNP硅平面
    中功率晶体管
    第4期 - 1995年11月
    特点
    * 25伏V
    首席执行官
    * 3安培连续电流
    *低饱和电压
    *优秀ħ
    FE
    指定高达6A （脉冲） 。
    互补式 -
    PARTMARKING详细信息 -
    FZT649
    FZT749
    FZT749
    C
    E
    C
    B
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    P
    合计
    T
    j
    :T
    英镑
    典型值。
    马克斯。
    价值
    -35
    -25
    -5
    -8
    -3
    2
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    -0.1
    -10
    -0.1
    -0.12
    -0.40
    -0.9
    -0.8
    -0.3
    -0.6
    -1.25
    -1.0
    300
    兆赫
    100
    pF
    ns
    µ
    A
    µ
    A
    µ
    A
    绝对最大额定值。
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值脉冲电流
    连续集电极电流
    功耗
    在T
    AMB
    =25°C
    工作和存储温度范围
    参数
    击穿电压
    符号最小值。
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    集电极截止
    电流
    饱和电压
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    基射
    导通电压
    静态正向电流
    传输比
    跃迁频率
    输出电容
    开关时间
    V
    BE（上）
    h
    FE
    70
    100
    75
    15
    100
    -35
    -25
    -5
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    °C
    电气特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明） 。
    条件。
    I
    C
    =-100
    µ
    A
    I
    C
    =-10mA*
    I
    E
    =-100
    µ
    A
    V
    CB
    =-30V
    V
    CB
    =-30V,
    T
    AMB
    =100°C
    V
    EB
    =4V
    I
    C
    = -1A ，我
    B
    =-100mA*
    I
    C
    = -3A ，我
    B
    =-300mA*
    I
    C
    = -1A ，我
    B
    =-100mA*
    I
    C
    = -1A ，V
    CE
    =-2V*
    I
    C
    = -50mA ，V
    CE
    =-2V*
    I
    C
    = -1A ，V
    CE
    =-2V*
    I
    C
    = -2A ，V
    CE
    =-2V*
    I
    C
    = -6A ，V
    CE
    =-2V*
    I
    C
    = -100mA ，V
    CE
    =-5V
    f=100MHz
    V
    CB
    = -10V F = 1MHz的
    I
    C
    = -500mA ，V
    CC
    =-10V
    I
    B1
    =I
    B2
    =-50mA
    V
    V
    V
    V
    200
    200
    150
    50
    160
    55
    40
    f
    T
    C
    敖包
    t
    on
    t
    关闭
    450
    ns
    *脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
    µ
    秒。占空比
    ≤
    2%
    辣妹参数数据可应要求提供此设备
    3 - 232

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