MBR2535CT - MBR2560CT
30A肖特基整流器
特点
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肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
低功耗，高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向
电压降
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护应用
塑料材质：防火
分类额定值94V- 0
TO-220AB
L
B
C
K
D
A
1
2
3
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
民
14.22
9.65
2.54
5.84
¾
12.70
2.29
0.51
3.53Æ
3.56
1.14
0.30
2.03
最大
15.88
10.67
3.43
6.86
6.35
14.73
2.79
1.14
4.09Æ
4.83
1.40
0.64
2.92
E
J
N
G
H
J
K
L
M
N
P
机械数据
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案例：模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：对人体标示
重量：2.24克数（大约）
安装位置：任意
标记：型号数量
H H
PIN 1 +
PIN 2 -
PIN 3 +
+
例
P
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
@ T
C
= 130°C
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
峰值重复反向浪涌电流（注3 ）
正向电压降
@ I
F
= 15.0A ，T
C
= 25°C
@ I
F
= 15.0A ，T
C
= 125°C
@ I
F
= 30.0A ，T
C
= 25°C
@ I
F
= 30.0A ，T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
I
RRM
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
MBR2535CT
35
25
MBR2545CT
45
32
30
MBR2550CT
50
35
MBR2560CT
60
42
单位
V
V
A
A
150
1.0
¾
¾
0.82
0.73
0.2
40
750
1.5
-65到+150
0.5
0.75
0.65
¾
¾
1.0
50
500
A
V
FM
V
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容（注2 ）
I
RM
C
j
R
QJC
T
j,
T
英镑
mA
pF
° C / W
°C
典型热阻结到外壳（注1 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
1.热阻结到外壳上安装散热片。
2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
3. 2.0ms脉冲宽度， F = 1.0KHz 。
DS31036牧师D- 2
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DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
