MBR730 - MBR760
7.5A肖特基整流器
特点
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肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
低功耗，高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向压降
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
无铅产品，符合RoHS （注4 ）
K
C
D
A
L
B
M
TO-220AC
暗淡
A
B
C
D
E
G
E
G
J
R
P
PIN 1 +
PIN 2 -
+
例
民
14.48
10.00
2.54
5.90
2.80
12.70
0.69
3.54
4.07
1.15
0.30
2.04
4.83
最大
15.75
10.40
3.43
6.40
3.93
14.27
0.93
3.78
4.82
1.39
0.50
2.79
5.33
机械数据
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案例： TO- 220AC
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：完成 - 亮锡。每焊
MIL- STD- 202方法208
极性：见图
标记：型号数量
重量： 2.3克（约）
销1
销2
J
K
L
M
N
P
R
N
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
（注1 ）
@ T
C
= 125°C
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
正向电压降
（注3）
@ I
F
= 7.5A ，T
J
= 25°C
@ I
F
= 7.5A ，T
J
= 125°C
@ I
F
= 15A ，T
J
= 25°C
@ I
F
= 15A ，T
J
= 125°C
@ T
J
= 25°C
@ T
J
= 125°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
MBR
730
30
21
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
MBR
735
35
24.5
MBR
740
40
28
7.5
150
¾
0.57
0.84
0.72
0.1
15
400
3.5
MBR
745
45
31.5
MBR
750
50
35
MBR
760
60
42
单位
V
V
A
A
V
FM
0.75
0.65
¾
¾
0.5
50
V
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型的总电容（注2 ）
I
RM
C
T
R
QJC
dv / dt的
T
j
T
英镑
mA
pF
° C / W
V / ms的
°C
°C
典型热阻结到外壳（注1 ）
变化的电压率（额定V
R
)
工作温度范围
存储温度范围
注意事项：
10,000
-55到+150
-55到+175
1.热阻结到外壳上安装散热片。
2.测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反向电压。
3.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
4. RoHS指令修订版2003年2月13日。玻璃和高温焊料豁免应用，看
DS23007牧师9 - 2
1第3
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