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    MMBF170 参数 Datasheet PDF下载

    MMBF170图片预览
    型号： MMBF170
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型网络场效晶体管 [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 65 K
    品牌： DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
     浏览型号MMBF170的Datasheet PDF文件第2页  
    MMBF170
    n沟道增强型场效应
    晶体管
    特点
    ·
    ·
    ·
    ·
    ·
    低导通电阻
    低栅极阈值电压
    低输入电容
    开关速度快
    低输入/输出泄漏
    G
    E
    D
    G
    H
    K
    J
    L
    M
    SOT-23
    暗淡
    A
    D
    顶视图
    S
    B
    C
    民
    0.37
    1.19
    2.10
    0.89
    0.45
    1.78
    2.65
    0.013
    0.89
    0.45
    0.076
    最大
    0.51
    1.40
    2.50
    1.05
    0.61
    2.05
    3.05
    0.15
    1.10
    0.61
    0.178
    A
    B
    C
    D
    E
    G
    H
    J
    K
    L
    M
    机械数据
    ·
    ·
    ·
    ·
    ·
    案例： SOT -23 ，模压塑料
    码头：每MIL -STD- 202焊接的，
    方法208
    终端连接：见图
    标记： K6Z
    重量： 0.008克（约）
    尺寸：mm
    最大额定值
    漏源电压
    @ T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    连续
    脉冲
    连续
    脉冲
    V
    GSS
    I
    D
    P
    d
    R
    qJA
    T
    j
    , T
    英镑
    MMBF170
    60
    60
    ±20
    ±40
    500
    800
    225
    1.80
    556
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    毫瓦/°C的
    K / W
    °C
    特征
    漏极 - 栅极电压ř
    GS
    £
    1.0MW
    栅源电压
    漏电流（注1 ）
    总功率耗散（注1 ）
    降额以上的牛逼
    A
    = 25°C
    热阻，结到环境
    工作和存储温度范围
    电气特性
    特征
    开关特性（注2 ）
    漏源击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    门体漏
    基本特征（注2 ）
    栅极阈值电压
    静态漏源导通电阻
    正向跨导
    动态特性
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    开关特性
    导通延迟时间
    打开-O FF延迟时间
    @ T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    符号
    BV
    DSS
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    g
    FS
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    D（关闭）
    民
    60
    ¾
    ¾
    0.8
    ¾
    80
    ¾
    ¾
    ¾
    ¾
    ¾
    典型值
    70
    ¾
    ¾
    2.1
    ¾
    ¾
    22
    11
    2.0
    ¾
    ¾
    最大
    ¾
    1.0
    ±10
    3.0
    5.0
    ¾
    40
    30
    5.0
    10
    10
    单位
    V
    µA
    nA
    V
    W
    mS
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    V
    DD
    = 25V ，我
    D
    = 0.5A,
    V
    GS
    = 10V ，R
    根
    = 50W
    V
    DS
    = 10V, V
    GS
    = 0V
    F = 1.0MHz的
    测试条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 100毫安
    V
    DS
    = 60V, V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    =
    ±15V,
    V
    DS
    = 0V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    =-250mA
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 200毫安
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 0.2A
    注： 1 。有效的条件是端子保持在规定的环境温度下。
    2.脉冲宽度
    £
    300毫秒，占空比
    £
    2%.
    DS30104版本C - 2
    1 2
    MMBF170

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