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MMBT3904 参数 Datasheet PDF下载

MMBT3904图片预览
型号: MMBT3904
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内容描述: NPN小信号表面贴装晶体管 [NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 3 页 / 57 K
品牌: DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
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电气特性
特征
开关特性
(注2 )
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
基本特征
(注2 )
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CEX
I
BL
60
40
6.0
¾
¾
40
70
100
60
30
¾
0.65
¾
¾
¾
1.0
0.5
100
1.0
300
¾
最大
¾
¾
¾
50
50
¾
¾
300
¾
¾
0.20
0.30
0.85
0.95
4.0
8.0
10
8.0
400
40
¾
5.0
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= 10毫安,我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安,我
B
= 0
I
E
= 10毫安,我
C
= 0
V
CE
= 30V, V
EB (O FF )
= 3.0V
V
CE
= 30V, V
EB (O FF )
= 3.0V
I
C
= 100μA ,V
CE
=
I
C
= 1.0毫安,V
CE
=
I
C
= 10毫安,V
CE
=
I
C
= 50mA时V
CE
=
I
C
= 100mA时V
CE
=
1.0V
1.0V
1.0V
1.0V
1.0V
直流电流增益
h
FE
¾
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
电流增益带宽积
噪声系数
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
V
I
C
= 10毫安,我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安,我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
V
CB
= 5.0V , F = 1.0MHz的,我
E
= 0
V
EB
= 0.5V , F = 1.0MHz的,我
C
= 0
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
f
T
NF
pF
pF
kW
x 10
-4
¾
mS
兆赫
dB
V
CE
= 10V ,我
C
= 1.0毫安,
F = 1.0kHz
V
CE
= 20V ,我
C
= 10毫安,
F = 100MHz的
V
CE
= 5.0V ,我
C
= 100mA时
R
S
= 1.0KW , F = 1.0kHz
t
d
t
r
t
s
t
f
¾
¾
¾
¾
35
35
200
50
ns
ns
ns
ns
V
CC
= 3.0V ,我
C
= 10毫安,
V
BE (OFF)的
= - 0.5V ,我
B1
= 1.0毫安
V
CC
= 3.0V ,我
C
= 10毫安,
I
B1
= I
B2
= 1.0毫安
订购信息
设备
MMBT3904-7
注意事项:
(注3)
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
2.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
3.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K1N
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
2000
L
三月
3
K1N =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如: N = 2002年
M =月前: 9 =九月
2001
M
APR
4
YM
2002
N
五月
5
2003
P
JUN
6
2004
R
JUL
7
2005
S
八月
8
2006
T
SEP
9
2007
U
十月
O
2008
V
NOV
N
2009
W
DEC
D
DS30036牧师11 - 2
2 3
MMBT3904