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MMBTA42图片预览
型号: MMBTA42
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内容描述: NPN小信号表面贴装晶体管 [NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器PC
文件页数/大小: 3 页 / 109 K
品牌: DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
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MMBTA42
NPN小信号表面贴装晶体管
特点
外延平面片建设
互补PNP类型可用
(MMBTA92)
非常适用于低功率放大和开关
无铅/符合RoHS (注4 )
符合AEC -Q101标准高
可靠性
A
C
SOT-23
暗淡
B
C
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
α
B
E
顶视图
E
D
G
H
K
J
L
机械数据
案例: SOT -23
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
终端连接:见图
码头:每MIL -STD- 202,方法
208
无铅电镀(雾锡完成退火
在合金引线框架42 ) 。
标记(见第2页) : K3M
订购&日期代码信息:参见第2页
重量: 0.008克(近似值)
M
尺寸:mm
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
θJA
T
j
, T
英镑
价值
300
300
6.0
500
300
417
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
集电极电流(注1 ) (注3 )
功率耗散(注1 )
热阻,结到环境(注1 )
操作和储存和温度范围内
电气特性
特征
开关特性(注2 )
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
基本特征(注2 )
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
小信号特性
输出电容
电流增益带宽积
注意事项:
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
300
300
6.0
25
40
40
50
最大
100
100
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= 100μA ,我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安,我
B
= 0
B
I
E
= 100μA ,我
C
= 0
V
CB
= 200V ,我
E
= 0
V
CE
= 6.0V ,我
C
= 0
I
C
= 1.0毫安,V
CE
= 10V
I
C
= 10毫安,V
CE
= 10V
I
C
= 30mA时V
CE
= 10V
I
C
= 20mA时,我
B
= 2.0毫安
B
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
C
cb
f
T
0.5
0.9
3.0
V
V
pF
兆赫
I
C
= 20mA时,我
B
= 2.0毫安
B
V
CB
= 20V , F = 1.0MHz的,我
E
= 0
V
CE
= 20V ,我
C
= 10毫安,
F = 100MHz的
1.装置安装在FR- 4 PCB , 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议​​焊盘布局
文件AP02001 ,它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
3.当由热阻率所限定的安全操作区域内的集电极发射极饱和条件下运行(R
θ
JA
),功率
额定功耗(P
d
)和功率降额曲线(图1 ) 。
4.没有故意添加铅。
DS30062牧师10 - 2
1第3
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