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MPSA92图片预览
型号: MPSA92
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内容描述: PNP高电压小信号晶体管 [PNP HIGH VOLTAGE SMALL SIGNAL TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管高压IOT
文件页数/大小: 1 页 / 55 K
品牌: DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
   
MPSA92
PNP高电压小信号晶体管
特点
·
·
·
外延平面片建设
-300V集电极 - 发射极电压
免费NPN类型可用
(MPSA42)
E
A
B
TO-92
暗淡
A
B
C
D
E
4.32
4.32
12.50
0.36
3.15
2.29
1.14
最大
4.83
4.78
15.62
0.56
3.94
2.79
1.40
机械数据
·
·
·
·
·
案例: TO- 92 ,塑料
线索:每MIL -STD- 202焊接的,
方法208
终端连接:见图
标记:型号数量
重量:0.29克数(大约)
C
D
底部
意见
G
H
ê B C
H
G
H
尺寸:mm
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
(注1 )
(注1 )
P
d
R
qJA
R
QJC
T
j
, T
英镑
MPSA42
-300
-300
-5.0
-100
625
200
83.3
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
K / W
K / W
°C
特征
连续集电极电流 -
功耗
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
工作和存储温度范围
电气特性
特征
集电极到发射极击穿电压
集电极基极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
集电极基极电容
注意事项:
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
(注2 )
V
( BR ) CEO
V
{ BR } CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
(注2 )
(注2 )
(注2 )
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
cb
-300
-300
-5.0
¾
¾
25
40
25
¾
¾
50
¾
最大
¾
¾
¾
-0.25
-0.10
¾
-0.5
-0.9
¾
6.0
单位
V
V
V
mA
mA
¾
V
V
兆赫
pF
测试条件
I
C
= -1.0mA ,我
B
= 0
I
C
= -100
毫安,
I
E
= 0
I
E
= -100mA ,我
C
= 0
V
CB
= -200V ,我
E
= 0
V
EB
= -3.0V ,我
C
= 0
I
C
= -1.0mA ,V
CE
= -10V
I
C
= -10mA ,V
CE
= -10V
I
C
= -30mA ,V
CE
= -10V
I
C
= -20mA ,我
B
= -2.0mA
I
C
= -20mA ,我
B
= -2.0mA
I
C
= -10mA ,V
CE
= -20V , F = 100MHz的
V
CB
= -20V ,我
E
= 0 , F = 1.0MHz的
1.有效的规定,导致在离身体的距离为2.0mm保持在规定的环境。
2.脉冲测试:脉冲宽度
£
300毫秒,占空比
£
2%.
DS11206修订版G- 3
1 1
MPSA92