1N 1183 ... 1N 1190, 1N 3766, 1N 3768
PBY 301 ... PBY 307
Silicon-Power Rectifiers
Silizium-Leistungs-Gleichrichter
13
14
Nominal current – Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Metal case – Metallgehäuse
37
35 A
50…1000 V
DO-5
6g
Ø3.5
Type
Weight approx. – Gewicht ca.
SW17
M6
Standard polarity:
Cathode to stud / am Gewinde
Index R: Anode to stud / am Gewinde (e.g. 1N 1183 A/R)
Standard packaging: bulk
Standard Lieferform: lose im Karton
Dimensions / Maße in mm
Maximum ratings
Type
Typ
1N 1183
1N 1184
1N 1186
1N 1188
1N 1190
1N 3766
1N 3768
=
=
=
=
=
=
=
PBY 301
PBY 302
PBY 303
PBY 304
PBY 305
PBY 306
PBY 307
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
50
100
200
400
600
800
1000
T
C
= 100
/
C
f > 15 Hz
T
A
= 25
/
C
T
A
= 25
/
C
T
A
= 25
/
C
11
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
60
120
240
480
720
1000
1200
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
I
FAV
I
FRM
I
FSM
I
FSM
i
2
t
T
j
T
S
35 A
1
)
80 A
1
)
450 A
500 A
1000 A
2
s
– 65…+175
/
C
– 65…+175
/
C
) Valid, if the temp. of the stud is kept to 100
/
C – Gültig, wenn die Temp. am Gewinde auf 100
/
C gehalten wird
06.08.2002
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
