1N 4148, 1N 4150, 1N 4151, 1N 4448
Silicon Planar Diodes
Silizium-Planar-Dioden
Nominal current
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Glass case
Glasgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Dimensions / Maße in mm
150...300 mA
50…100 V
DO-35
SOD-27
0.13 g
see page 16
siehe Seite 16
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings
Type
Typ
1N 4148
1N 4150
1N 4151
1N 4448
Reverse voltage
Sperrspannung
V
RM
[V]
75
50
50
75
Grenzwerte
Reverse Breakdown Voltage
Abbruchspannung
V
RRM
[V]
1
)
100
50
75
100
1N 4148
1N 4448
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Non-repetitive peak fwd. current
Stoßstrom Grenzwert
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
t
p
= 1
:
s
T
j
= 25
/
C
T
A
= 25
/
C
I
FAV
I
FRM
I
FSM
P
tot
T
j
T
S
150 mA
2
)
500 mA
2
)
2000 mA
1N 4150
300 mA
2
)
600 mA
2
)
4000 mA
500 mW
2
)
- 50…+ 200
/
C
- 50…+ 200
/
C
1N 4151
200 mA
2
)
500 mA
2
)
2000 mA
Operating junction temp. – Sperrschichttemp.
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
34
) Tested with 100
:
A pulses – Gemessen mit 100
:
A-Impulsen
) Valid, if leads are kept at T
A
= 25
/
C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 5 mm Abstand von Gehäuse auf T
A
= 25
/
C gehalten werden
01.10.2002
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
