1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448
1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448
Ultrafast Switching Si-Planar Diodes
Ultraschnelle Si-Planar-Dioden
Version 2011-09-23
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
Ø
1.9
500 mW
50...100 V
DO-35
(SOD-27)
0.13 g
LL4148, LL4150
LL4151, LL4148
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Glass case
Glasgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
62.5
3.9
Ø
0.52
Equivalent SMD-version
Äquvalente SMD-Ausführung
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
Type
Typ
1N4148
1N4150
1N4151
1N4448
Type
Typ
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Non-repetitive peak forward current
Stoßstrom-Grenzwert
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
t
p
= 1 µs
T
j
= 25°C
I
FAV
I
FRM
I
FSM
P
tot
T
j
T
S
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
75
50
50
75
1N4148
1N4448
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
)
100
50
75
100
1N4150
300 mA
2
)
600 mA
2
)
4000 mA
500 mW
2
)
-50...+200°C
-50...+200°C
1N4151
200 mA
2
)
500 mA
2
)
2000 mA
150 mA
)
500 mA
2
)
2000 mA
1
2
Tested with pulses I
R
= 100 µA, t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2%
Gemessen mit Impulsen I
R
= 100 µA, t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
