1N5391 ... 1N5399
1N5391 ... 1N5399
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2009-04-16
Nominal current
Nennstrom
Ø
3
±0.05
1.5 A
50...1000 V
DO-15
DO-204AC
0.4 g
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
62.5
±0.5
Type
Ø
0.8
±0.05
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
1N5391
1N5392
1N5393
1N5394
1N5395
1N5396
1N5397
1N5398
1N5399
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
50
100
200
300
400
500
600
800
1000
T
A
= 50°C
T
A
= 100°C
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
T
j
T
S
6.3
±0.1
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
100
200
300
400
500
600
800
1000
1200
1.5 A
)
0.9 A
1
)
10 A
1
)
50/55 A
12.5 A
2
s
-50...+175°C
-50...+175°C
1
)Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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