1N5400 ... 1N5408
1N5400 ... 1N5408
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2010-01-05
Nominal current
Nennstrom
Ø 4.5
+0.1
-
0.3
3A
50...1000 V
~ DO-201
0.8 g
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
±0.5
Type
62.5
Ø 1.2
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
1N5400
1N5401
1N5402
1N5404
1N5406
1N5407
1N5408
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
50
100
200
400
600
800
1000
7.5
±0.1
±0.05
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
50
100
200
400
600
800
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
A
= 50°C
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
T
j
T
S
3 A
)
30 A
1
)
180/200 A
166 A
2
s
-50...+175°C
-50...+175°C
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
