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2N4400 参数 Datasheet PDF下载

2N4400图片预览
型号: 2N4400
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内容描述: 硅外延PlanarTransistors [Si-Epitaxial PlanarTransistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 36 K
品牌: DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
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2N4400, 2N4401
NPN
Version 2004-01-20
General Purpose Transistors
Si-Epitaxial PlanarTransistors
NPN
Power dissipation – Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard Pinning
1=C 2=B 3=E
625 mW
TO-92
(10D3)
0.18 g
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
Collector-Emitter-voltage
Collector-Base-voltage
Emitter-Base-voltage
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Junction temp. – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
V
CE0
V
CE0
V
EB0
P
tot
I
C
T
j
T
S
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
2N4400, 2N4401
40 V
60 V
6V
625 mW
1
)
600 mA
150°C
- 55…+ 150°C
Characteristics (T
j
= 25°C)
Min.
Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspannung
I
C
= 150 mA, I
B
= 15 mA
I
C
= 500 mA, I
B
= 50 mA
I
C
= 150 mA, I
B
= 15 mA
I
C
= 500 mA, I
B
= 50 mA
Collector cutoff current – Kollektorreststrom
V
CE
= 35 V, V
EB
= 0.4 V
Emitter cut-off current – Emitterreststrom
V
CE
= 35 V, V
EB
= 0.4 V
I
EBV
I
CBV
V
CEsat
V
CEsat
V
BEsat
V
BEsat
750 mV
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Typ.
Max.
400 mV
750 mV
950 mV
1.2 V
100 nA
100 nA
Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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