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3EZ10 参数 Datasheet PDF下载

3EZ10图片预览
型号: 3EZ10
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内容描述: 硅电源稳压二极管(非平面技术) [Silicon-Power-Zener Diodes (non-planar technology)]
分类和应用: 稳压二极管齐纳二极管测试
文件页数/大小: 2 页 / 82 K
品牌: DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
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3EZ1 ... 3EZ200 (3 W)
3EZ1 ... 3EZ200 (3 W)
Silicon-Power-Zener Diodes (non-planar technology)
Silizium-Leistungs-Zener-Dioden (flächendiffundierte Dioden)
Version 2011-04-06
Maximum power dissipation
Maximale Verlustleistung
Ø 3
±0.05
3W
1...200 V
DO-15
DO-204AC
0.4 g
Nominal Z-voltage
Nominale Z-Spannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammopack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
62.5
±0.5
Type
Ø 0.8
±0.05
Dimensions - Maße [mm]
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard.
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen
Reihe E 24 (~ ±5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.
Maximum ratings and Characteristics
Power dissipation – Verlustleistung
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to lead
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
6.3
±0.1
Grenz- und Kennwerte
3EZ-series
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
tot
P
ZSM
T
j
T
S
R
thA
R
thL
3 W
)
60 W
-50...+150°C
-50...+175°C
< 38 K/W
1
)
< 15 K/W
Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite
1
2
3
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
The 3EZ1 is a diode operated in forward. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.
The cathode, indicated by a white band, has to be connected to the negative pole.
Die 3EZ1 ist eine in Durchlass betriebene Si-Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index
“F” anstatt “Z” zu setzten. Die mit weißem Balken gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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