BAL99
BAL99
Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes
Schnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2006-04-07
Power dissipation – Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
max
310 mW
70 V
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
1.1
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
±0.1
1
2
1.9
Dimensions - Maße [mm]
1 = n.c. /frei 2 = C 3 = A
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
Power dissipation – Verlustleistung
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
t
p
≤
1 s
t
p
≤
1 ms
t
p
≤
1 µs
P
tot
I
FAV
I
FSM
I
FSM
I
FSM
V
RRM
T
j
T
S
2.5
1.3
Type
Code
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
BAL99
310 mW
1
)
250 mA 1)
0.5 A
1A
2A
70 V
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (T
j
= 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
I
F
I
F
I
F
I
F
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
=
=
=
=
1 mA
10 mA
50 mA
150 mA
V
F
V
F
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
C
T
t
rr
R
thA
Kennwerte (T
j
= 25°C)
< 715 mV
< 855 mV
< 1000 mV
< 1250 mV
< 2.5 µA
< 30 µA
< 100 µA
1.5 pF
< 6 ns
400 K/W 1)
Leakage current
2
)
Sperrstrom
V
R
= 70 V
V
R
= 25 V
V
R
= 70 V
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
Reverse recovery time – Sperrverzug
I
F
= 10 mA über/through I
R
= 10 mA bis/to I
R
= 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
2
Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle
≤
2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
